据有关宽带隙半导体市场新的研究报告显示，全球宽带隙半导体市场预计在2027年将达到US $ 3亿的价值，在〜22％的复合年增长率扩张，从2019到 2027年。根据报告认为，在预测期内，全球宽带隙半导体市场将继续受到一系列宏观经济和特定市场因素的影响。
与市场上其他可用的半导体材料相比，宽带隙（WBG）半导体的使用使功率半导体器件更小，更快，更可靠，更高效。宽带隙半导体材料提供的重量轻，使用寿命长和能带隙更大的优点使它们在全球范围内的不同类型的功率半导体器件中得到优先使用。
广泛的商业可用性，WBG半导体功率器件的价格下降以及对用于电信设备，计算机，军用器件，电动汽车和光伏发电等应用的氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的需求不断增长逆变器有望在不久的将来带动全球宽带隙半导体市场。 预计在预测期内，宽带隙半导体材料投资的增加及其在功率半导体行业中的采用将推动全球宽带隙半导体市场的增长。
能源和公用事业最终利用行业占主导地位
该报告详细介绍了全球宽带隙半导体市场的细分情况：就材料（碳化硅[SiC]，氮化镓[GaN]，金刚石等），应用（混合动力/电动汽车，光伏逆变器，铁路牵引，风力涡轮机，电源，电机驱动器，UPS等）和最终用途行业（汽车，航空航天与国防，IT与消费者，能源与公用事业等）。全球市场也已根据地区（北美，欧洲，亚太地区，南美以及中东和非洲）进行了细分。
在这些材料中，碳化硅（SiC）细分市场在2018年占全球宽带隙半导体市场的领先份额。预计在预测期内，该细分市场将保持其在全球宽带隙半导体市场的主导地位。 混合动力/电动汽车的应用领域预计将引领全球宽带隙半导体市场，并在预测期内以高CAGR的速度扩展。
能源与公用事业是全球宽带隙半导体市场中极具吸引力的最终用途行业。就市场规模而言，它是最大的细分市场。预计该部门将在预测期内以快速的速度增长。此外，预计在预测期内，不同功率半导体制造商对宽带隙半导体材料的采购将增加，从而带动全球宽带隙半导体市场。 亚太地区是利润丰厚的宽带隙半导体市场
由于该地区较早采用宽带隙半导体，预计在预测期内，亚太地区将占据全球宽带隙半导体市场的最大份额。亚太地区和北美占有相当大的市场份额。预计在预测期内，这些地区将为宽带隙半导体市场提供丰厚的机会。
中国在2018年主导了亚太地区的宽带隙半导体市场。预计该国的宽带隙半导体市场将在2019年至2027年期间以显着的复合年增长率增长。亚太地区的不同政府组织正在增加其研发支出适用于先进的功率半导体器件。反过来，这有望促进该地区的宽带隙半导体市场。此外，对电动汽车的需求上升以及对5G支持设备的高度关注是在预测期内可能推动宽带隙半导体市场的一些主要驱动因素。
投资新产品以推动宽带隙半导体市场
该报告提供了在全球宽带隙半导体市场中运作的领先企业的概况。它们是Cree，Inc.，GeneSiC Semiconductor Inc.，Infineon Technologies AG，Panasonic Corporation，ST Microelectronics NV，ON Semiconductor，ROHM Semiconductor，OSRAM Opto Semiconductors GmbH，TT Electronics，Qorvo，Inc .和Broadcom Inc .。
ROHM Semiconductor是宽带隙半导体（SiC和GaN）材料的领先制造商。该公司于2019年2月开始大规模生产SiC功率元件，例如SiC肖特基二极管和SiC平面MOSFET。该公司宣布计划在先进机器的帮助下升级其现有的WBG半导体生产设施，预计将在年底完成2020年。 2019年8月，安森美半导体在其产品线中推出了宽带隙（WBG）硅碳（SiC）MOSFET。该公司预计，由于WBG半导体器件在汽车电气系统和电动汽车等应用中的使用量增加，因此新产品在不久的将来会出现很高的需求。 |
